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Titan VF 850M

隨著封裝密度的提升，在underfill （UF）和die attach film （DAF）中的氣泡對(duì)封裝產(chǎn)品的性能和可靠性產(chǎn)生的愈來愈嚴(yán)重的影響。可控高壓高溫工藝可以有效去除UF和DAF中的氣泡。調(diào)整溫度改變材料的流動(dòng)性，同時(shí)配合真空去除大體積的氣泡。再根據(jù)材料的特性，施加高壓和提高固化溫度將細(xì)小的氣泡溶解在膠體內(nèi)部并且固化，達(dá)到去除氣泡固化材料的目的

技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用領(lǐng)域

技術(shù)指標(biāo)

Function

ltems

Spec
壓力

最高壓力壓力調(diào)節(jié)

15kgf -0.9kgf ~15kgf
溫度

最高溫度加熱模式溫度控制溫度均勻性最高升溫速率最高降溫速率

220℃ (MAX) 氣體對(duì)流循環(huán) PID 實(shí)時(shí)控制升溫階段<+/-5℃,穩(wěn)定狀態(tài)=<+/-3℃ >=8℃/min(PID連續(xù)可控) 5℃/min(PID連續(xù)可控)
O2 濃度

O2 LM1 O2 LM2

100 ppm <50 ppm
潔凈度

空間顆粒度

Class 1000
控制及數(shù)據(jù)處理

MES Log 互鎖菜單

MES Interface (option) 實(shí)時(shí)工藝參數(shù)顯示及全套數(shù)據(jù)保存 PC及PLC安全及工藝互鎖表單式菜單編輯
腔體結(jié)構(gòu)

有限元強(qiáng)度分析上下料

>1.6Mpa 手動(dòng)
設(shè)備性能

Uptime MTTR MTBF

>=95% <=4hrs >=240hrs

應(yīng)用領(lǐng)域

＊芯片的先進(jìn)封裝中任何UF的處理，

＊多層存儲(chǔ)芯片疊層封裝中DAF/FOW等材料的熱處理

＊功率模組封裝中芯片的reflow焊接，通過真空與高壓處理，獲得優(yōu)良的芯片焊接效果